Cubic 200 采用一體成型的方形316不銹鋼腔體，最多可安裝3個(gè)束源爐。
四軸樣品操縱臺(tái)可水平或豎直安裝，適用于小尺寸（匹配旗形樣品托）樣品生長。
系統(tǒng)預(yù)留多種法蘭口，非常適合科研用戶工藝摸索和研究。
| ● 一套小型、緊湊、性價(jià)比高的系統(tǒng) | ● 不銹鋼腔體一體加工成型、無焊縫結(jié)構(gòu)、可更容易實(shí)現(xiàn)超高真空環(huán)境 | ● 可用于通識(shí)教育的科研設(shè)備、簡單直觀了解分子束外延技術(shù) |
| HMF-MBE 200 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type 樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 直流加熱 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 3xDN40CF | |
| 獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動(dòng)驅(qū)動(dòng) | ||
| QCM | 標(biāo)配 | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
| 快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺(tái) | 6或12工位 | |
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標(biāo)配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標(biāo)配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機(jī) | 選配 | ||
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