MBE 300 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為CF250，最多可安裝9個束源爐，能根據(jù)用戶需求安裝多坩堝的磁偏轉電子束，適用于小尺寸（匹配旗形樣品托）樣品生長。
| ● 一套成熟、穩(wěn)定、性價比高的系統(tǒng) | ● 模塊化設計，爐源、泵組、其他部件靈活搭配，適合不同需求 | ● 既能作為獨立的系統(tǒng)，也可與其他超高真空系統(tǒng)互聯(lián) |
| MBE 300 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 450L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 液氮冷屏 | 選配 | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 直流加熱 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 4xDN40CF, 4xDN63CF, 1xDN100CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅動 | ||
| QCM | 標配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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