HMF-MBE 200 配置不同類型的蒸發(fā)源,適用于強磁場下多種材料體系研究,可生長金屬、磁性薄膜及半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié),適合互聯(lián)多種原位量測系統(tǒng)。同時系統(tǒng)操作簡單,模塊化腔室構(gòu)型,方便日常維護保養(yǎng)。
● 集成無液氦強磁場超導(dǎo)磁鐵 | ● 可實現(xiàn)室溫強磁場條件下分子束外延生長 |
● 生長源部件:3xDN40CF(強磁場下生長鐵磁材料)、2xDN40CF(生長常規(guī)金屬)、1xDN40CF(射頻等離子源) |
HMF-MBE-200 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
離子泵 | 選配 | ||
樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
襯底加熱器溫度 | 1200K | ||
部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF | |
獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅(qū)動 | ||
QCM | 選配 | ||
Ion Source | 選配 | ||
RGA | 選配 | ||
超導(dǎo)磁體 | 磁體類型 | 干式/GM制冷 | |
磁體環(huán)境 | 室溫腔體 | ||
腔體內(nèi)徑 | 105mm | ||
磁場強度 | ±9T | ||
磁場均勻性 | <0.1% | ||
快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
傳樣桿 | CF35/600mm | ||
機械手 | CF35/150mm | ||
系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標(biāo)配 | |
烘烤系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
系統(tǒng)支架 | 標(biāo)配 | ||
真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
等離子清洗 | 選配 | ||
CCD相機 | 選配 |
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