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HMF-MBE-200 強磁場MBE系統(tǒng)

HMF-MBE 200 配置不同類型的蒸發(fā)源,適用于強磁場下多種材料體系研究,可生長金屬、磁性薄膜及半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié),適合互聯(lián)多種原位量測系統(tǒng)。同時系統(tǒng)操作簡單,模塊化腔室構(gòu)型,方便日常維護保養(yǎng)。

產(chǎn)品特點
集成無液氦強磁場超導(dǎo)磁鐵可實現(xiàn)室溫強磁場條件下分子束外延生長
● 生長源部件:3xDN40CF(強磁場下生長鐵磁材料)、2xDN40CF(生長常規(guī)金屬)、1xDN40CF(射頻等離子源)

技術(shù)參數(shù)
HMF-MBE-200
模塊描述配置參數(shù)
生長室

腔體腔體材料SS316
腔體尺寸200mm I.D
烘烤溫度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽氣系統(tǒng)300L/s分子泵+10m3/h機械泵
真空測量系統(tǒng)離子規(guī)+Pirani規(guī)
離子泵選配
樣品架樣品尺寸Flag-type樣品托
襯底加熱方式輻射加熱
襯底加熱器溫度1200K
部件蒸發(fā)源配置6xDN40CF
獨立的蒸發(fā)源擋板氣動驅(qū)動
QCM選配
Ion Source選配
RGA選配
超導(dǎo)磁體磁體類型干式/GM制冷
磁體環(huán)境室溫腔體
腔體內(nèi)徑105mm
磁場強度±9T
磁場均勻性<0.1%
快速進樣室
腔體腔體材料SS316
烘烤溫度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽氣系統(tǒng)80L/s分子泵+10m3/h機械泵 
真空測量系統(tǒng)全量程規(guī)
部件樣品停放臺6或12工位
傳樣桿CF35/600mm
機械手CF35/150mm
系統(tǒng)集成及控制GUIDE軟件標(biāo)配
烘烤系統(tǒng)標(biāo)配
系統(tǒng)支架標(biāo)配
真空照明系統(tǒng)選配
等離子清洗選配
CCD相機選配


標(biāo)簽: 超高真空MBE
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