● 生長(zhǎng)腔為球型結(jié)構(gòu)，材質(zhì)為SS316不銹鋼
● 模塊化設(shè)計(jì)，既滿足現(xiàn)有材料制備的需求，也提供未來(lái)擴(kuò)展可能性
● 結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小
● 配置及性能指標(biāo)滿足高精度薄膜材料制備的需求
● 應(yīng)用范圍廣，如：超導(dǎo)薄膜，拓?fù)浣^緣體，過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDCs），異質(zhì)結(jié)構(gòu)，有機(jī)物，等等
| 生長(zhǎng)室 | 生長(zhǎng)腔極限真空：<5×10-10 mbar |
| 超高真空抽氣系統(tǒng)：300L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級(jí)機(jī)械泵及配套真空管路、安全閥等 | |
| 真空測(cè)量：離子規(guī)及Pirani真空規(guī)，覆蓋2×10-11 mbar至大氣壓的測(cè)量范圍，并與真空控制系統(tǒng)關(guān)聯(lián)集成，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的安全保護(hù) | |
| 4軸樣品架（水平方向安裝）：匹配標(biāo)準(zhǔn)flag-type樣品托，工作溫度：室溫-1200K；可選配低溫模塊（液氮制冷），電子束加熱模塊，或者Direct Heating模塊 | |
| 包含膜厚測(cè)量?jī)x（QCM）及配套的線性驅(qū)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)晶振探頭的移動(dòng)操作 | |
| 蒸發(fā)源安裝口：4個(gè)；可根據(jù)用戶實(shí)際需求進(jìn)行低、中、高、電子束蒸發(fā)源的配置 | |
| 可選配離子源（Ion Source） | |
| 可選配高能電子衍射儀（RHEED） | |
| 快速進(jìn)樣室 | 本底真空：<5×10-8 mbar |
| 超高真空抽氣系統(tǒng)：80L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級(jí)機(jī)械泵及配套真空管路、安全閥、放氣閥等 | |
| 真空測(cè)量：全量程真空規(guī)，覆蓋5×10-9 mbar至大氣壓的測(cè)量范圍，并與真空控制系統(tǒng)關(guān)聯(lián)集成，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的安全保護(hù) | |
| 樣品停放臺(tái)：6個(gè)停放位（可升級(jí)至12個(gè)停放位） | |
| 樣品傳遞裝置：600mm行程傳樣桿，包含樣品托抓取頭及法蘭調(diào)節(jié)器 | |
| VAT CF63閘板閥，用于生長(zhǎng)室與快速進(jìn)樣室的隔斷 | |
| 系統(tǒng)集成及控制 | 真空控制及保護(hù)系統(tǒng)，集成真空規(guī)信號(hào)、分子泵控制、蒸發(fā)源保護(hù)、烘烤保護(hù)等功能 |
| 包含蒸發(fā)源、樣品架的溫度控制軟件 | |
| 熱風(fēng)式烘烤模塊，烘烤溫度均勻，拆裝方便 |
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