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Sphere-300 分子束外延系統(tǒng)

Sphere 300 主要采用氬弧焊加工的球形316不銹鋼腔體,腔體直徑為300mm,最多可安裝5個(gè)蒸發(fā)源。Sphere 300 生長腔體預(yù)留多種法蘭口,功能完善,能實(shí)現(xiàn)RHEED原位表征。系統(tǒng)適用于小尺寸(匹配旗形樣品托)樣品生長,非常適合科研用戶用于高質(zhì)量薄膜制備。

產(chǎn)品特點(diǎn)
一套小型、經(jīng)濟(jì)型的分子束外延系統(tǒng)● 可結(jié)合RHEED原位測量,功能完善的分子束外延系統(tǒng)可作為預(yù)處理系統(tǒng),用于生長前或者生長后樣品處理

技術(shù)參數(shù)
Sphere-300
模塊描述配置參數(shù)
生長室

腔體腔體材料SS316
腔體尺寸300mm I.D
烘烤溫度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽氣系統(tǒng)300L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵
真空測量系統(tǒng)離子規(guī)+Pirani規(guī)
離子泵選配
樣品架樣品尺寸Flag-type樣品托
襯底加熱方式輻射加熱
襯底加熱器溫度室溫-1200K
電子束加熱選配
直流加熱選配
液氮制冷模塊選配
部件蒸發(fā)源配置3xDN40CF, 1xDN100CF
獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板氣動驅(qū)動
QCM標(biāo)配
RHEED15KeV-30KeV
Ion Source選配
RGA選配
超導(dǎo)磁體磁體類型干式/GM制冷
磁體環(huán)境室溫腔體
腔體內(nèi)徑105mm
磁場強(qiáng)度±9T
磁場均勻性<0.1%
快速進(jìn)樣室
腔體腔體材料SS316
烘烤溫度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽氣系統(tǒng)80L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 
真空測量系統(tǒng)全量程規(guī)
部件樣品停放臺6或12工位
傳樣桿CF35/600mm
機(jī)械手CF35/150mm
系統(tǒng)集成及控制GUIDE軟件標(biāo)配
烘烤系統(tǒng)標(biāo)配
系統(tǒng)支架標(biāo)配
真空照明系統(tǒng)選配
等離子清洗選配
CCD相機(jī)選配


標(biāo)簽: 超高真空MBE
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