Sphere 300 主要采用氬弧焊加工的球形316不銹鋼腔體,腔體直徑為300mm,最多可安裝5個(gè)蒸發(fā)源。Sphere 300 生長腔體預(yù)留多種法蘭口,功能完善,能實(shí)現(xiàn)RHEED原位表征。系統(tǒng)適用于小尺寸(匹配旗形樣品托)樣品生長,非常適合科研用戶用于高質(zhì)量薄膜制備。
● 一套小型、經(jīng)濟(jì)型的分子束外延系統(tǒng) | ● 可結(jié)合RHEED原位測量,功能完善的分子束外延系統(tǒng) | ● 可作為預(yù)處理系統(tǒng),用于生長前或者生長后樣品處理 |
Sphere-300 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
腔體尺寸 | 300mm I.D | ||
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
離子泵 | 選配 | ||
樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
電子束加熱 | 選配 | ||
直流加熱 | 選配 | ||
液氮制冷模塊 | 選配 | ||
部件 | 蒸發(fā)源配置 | 3xDN40CF, 1xDN100CF | |
獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅(qū)動 | ||
QCM | 標(biāo)配 | ||
RHEED | 15KeV-30KeV | ||
Ion Source | 選配 | ||
RGA | 選配 | ||
超導(dǎo)磁體 | 磁體類型 | 干式/GM制冷 | |
磁體環(huán)境 | 室溫腔體 | ||
腔體內(nèi)徑 | 105mm | ||
磁場強(qiáng)度 | ±9T | ||
磁場均勻性 | <0.1% | ||
快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
傳樣桿 | CF35/600mm | ||
機(jī)械手 | CF35/150mm | ||
系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標(biāo)配 | |
烘烤系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
系統(tǒng)支架 | 標(biāo)配 | ||
真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
等離子清洗 | 選配 | ||
CCD相機(jī) | 選配 |
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