Oxide MBE 350 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN300CF。MBE350系統(tǒng)最多可安裝9個蒸發(fā)源，預留多種法蘭口，可結合RHEED實時監(jiān)測薄膜生長。系統(tǒng)可引入具有氧化性的氣體來外延生長金屬氧化物薄膜。
| ● 蒸發(fā)源差分設計，允許在高氧或臭氧分壓下沉積氧化物材料 | ● 無需破壞生長腔真空，實現(xiàn)蒸發(fā)源的填料和替換 | ● 可選用高純臭氧發(fā)生系統(tǒng)或者射頻等離子源作為氧源 |
| Oxide-MBE-350 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 450L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 液氮冷屏 | 選配 | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF, 2xDN63CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅動 | ||
| QCM | 標配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| 臭氧發(fā)生模塊 | 選配 | ||
| 射頻等離子源 | 選配 | ||
快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 泵車 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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