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MBE-800 分子束外延系統(tǒng)

為了實現(xiàn)在4英寸晶圓上外延生長材料，費勉儀器推出了MBE-800分子束外延系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)版系統(tǒng)采用雙溫區(qū)襯底加熱器，并包含12個蒸發(fā)源端口，可實現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)薄膜的精確逐層生長。MBE-800的定制版本也涵蓋了特定的生產(chǎn)需求，例如超高真空離子輔助鍍膜系統(tǒng)。

MBE-800系統(tǒng)具有高可靠性、多功能性和緊湊性，可兼容4英寸以下襯底外延生長。該系統(tǒng)不僅可以作為應(yīng)用研發(fā)設(shè)備，同時也適用于準(zhǔn)批量生產(chǎn)應(yīng)用。
規(guī)格說明
MBE-800 手動傳樣系統(tǒng)
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MBE-800 手動傳樣系統(tǒng)，采用磁耦合傳樣桿，可進(jìn)行4英寸樣品傳遞。機(jī)械手行程可達(dá)1200mm，滿足襯底在生長腔室和預(yù)處理腔室之間傳遞。同時機(jī)械手可在垂直方向提供25mm的移動空間，滿足襯底取放操作。該傳樣系統(tǒng)無需使用二次運動工具，在降低成本的同時極大的簡化了襯底傳輸步驟。
MBE-800手動傳樣系統(tǒng)還可將快速進(jìn)樣室與熱處理室通過直線段連接，由費勉儀器自行研制的真空傳樣小車不僅可以實現(xiàn)襯底在快速進(jìn)樣室和預(yù)處理室之間自由轉(zhuǎn)移，并可極大提升樣品停放數(shù)量，使該系統(tǒng)更適合準(zhǔn)批量化生產(chǎn)應(yīng)用。 

MBE-800 全自動傳樣系統(tǒng)
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MBE-800 Cluster 全自動傳樣系統(tǒng)，將不同腔體集成在圓形傳樣腔上，并搭配360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)的機(jī)械臂組件，最大行程1350mm，可以實現(xiàn)襯底在不同腔室之間的真空傳遞。通過高扭矩磁耦合驅(qū)動器驅(qū)動機(jī)械臂旋轉(zhuǎn)，并由安裝在機(jī)械臂前端的定位基片實現(xiàn)精準(zhǔn)定位。機(jī)械臂通過線性驅(qū)動可以在垂直方向提供0~25mm自由移動，實現(xiàn)襯底的取放操作。


根據(jù)客戶需求，費勉儀器提供不同型號的熱蒸發(fā)源、裂解源、電子束蒸發(fā)源和氣體源。系統(tǒng)可安裝RHEED、QCM、BFM、RGA、OFM等，實現(xiàn)對薄膜生長的原位監(jiān)控。費勉儀器提供MBE操作軟件，包括生長工藝程序編寫、自動生長控制和不間斷數(shù)據(jù)記錄三大功能，可以執(zhí)行生長工藝程序控制擋板運動，源爐溫度，襯底溫度，襯底旋轉(zhuǎn)速度和方向?？刂栖浖囟惹€，真空壓力曲線，電源輸出功率曲線，各系統(tǒng)間傳樣等工藝需求功能，保證生長過程的可重復(fù)性和安全性。



配置MBE-800
生長室
腔體尺寸650mm I.D.
極限真空<2×10-10mbar
液氮冷屏標(biāo)配
冷屏通液氮后極限真空
<5×10-11mbar
襯底加熱器最高溫度
1000℃
襯底加熱器溫度穩(wěn)定性
PID控制，±0.5℃
襯底最大尺寸
4inch
襯底旋轉(zhuǎn)
60RPM
蒸發(fā)源配置
CF63×2／CF100×7 / CF125×3
獨立的蒸發(fā)源擋板
電機(jī)驅(qū)動
離子規(guī)
1×10-3~2×10-11mbar
烘烤溫度
200℃
預(yù)處理極限真空<2×10-10mbar
腔體水冷夾層選配
預(yù)處理加熱器最高溫度
450℃
離子規(guī)1×10-3~2×10-11mbar
進(jìn)樣室極限真空<1×10-8mbar
腔體水冷夾層選配
樣品停放臺4~10個
紅外烘烤燈選配
全量程規(guī)
1×103~5×10-9mbar
傳樣室極限真空<5×10-10mbar
傳樣時壓力<1×10-9mbar
手動傳樣最大行程1200mm
自動傳樣最大行程1350mm
離子規(guī)1×10-3~2×10-11mbar
存儲室樣品停放臺10個（選配）
系統(tǒng)控制觸摸屏操作面板
加配
生長工藝程序編寫
加配
自動生長控制
加配
不間斷數(shù)據(jù)記錄加配
報警保護(hù)功能加配
聯(lián)鎖功能加配
選配CCD選配
手套箱選配
磷回收系統(tǒng)
選配
襯底紅外測溫系統(tǒng)
選配
真空照明系統(tǒng)
選配
SMS選配






                                                                                                                                                                                                                                                                                                
標(biāo)簽： 超高真空MBE
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